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Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 °C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
Applied physics. A, Materials science & processing, 2005-11, Vol.81 (6), p.1139-1144
2005
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 °C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
Ist Teil von
  • Applied physics. A, Materials science & processing, 2005-11, Vol.81 (6), p.1139-1144
Ort / Verlag
Berlin: Springer
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0947-8396
eISSN: 1432-0630
DOI: 10.1007/s00339-004-3198-5
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1007_s00339_004_3198_5
Format
–
Schlagworte
Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.), Cross-disciplinary physics: materials science, rheology, Exact sciences and technology, Materials science, Methods of deposition of films and coatings, film growth and epitaxy, Physics

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