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Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide : a theoretical investigation
2003
Signatur: P1682

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide : a theoretical investigation
Erscheinungsjahr
2003
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Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
  • Paderborn, Univ., Diss., 2003
Sprache
Englisch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 1106842510, 1106842510
Titel-ID: 990008693540106463
Format
VII, 119 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
UIU

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