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Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium : eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 64 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1986
Signatur: XVW2188-64

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium : eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
Ist Teil von
Auflage
Als Ms. gedr
Ort / Verlag
Düsseldorf : VDI-Verl.
Erscheinungsjahr
1986
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
ISBN: 3181464090
OCLC-Nummer: 1067623274, 1067623274
Titel-ID: 990004243840106463
Format
152 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
XVW
Schlagworte
CMOS, Silicium, Stickstoffimplantation

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